Atributos
Componente y PiezaTipo
NuevoCódigo de fecha de fabricación
18 megabitsTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
Cinta y Carrete (TR)Tipo de embajaje
MemoriaAplicación
Características:Circuitos Integrados (IC)
Tipo de memoria:VOLÁTIL
La tecnología:SRAM - Sincrónico, SDR (ZBT)
-Tensión de alimentación:2,375 V ~ 2,625 V
Frecuencia de reloj:150 megahercios
Organización de la memoria:1M x 18
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:-
Interfaz de Memoria:Paralelo
Unidades de venta:Artículo individual
Tamaño del paquete:1X1X1 cm
Peso bruto:0.100 kg
