Componentes Electrónicos en Existencia, Compre en Línea, Memoria BOM IC W66AP6NBQAHJ TR 200 TFBGA
Puntuación de la tienda:
4.6
(3 reseñas)
Atributos
SDRAM - LPDDR4 móvilLa tecnología
VOLÁTILTipo de memoria
64M por 16Organización de la memoria
Componente y PiezaTipo
1 gigabitTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
Tipo de embajaje:Cinta y Carrete (TR)
Aplicación:Memoria
Características:Componentes de Chips Electrónicos
-Tensión de alimentación:1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V
Frecuencia de reloj:2,133 GHz
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:18 segundos
Interfaz de Memoria:LVSTL_11
Características clave
La tecnología
SDRAM - LPDDR4 móvil
Tipo de memoria
VOLÁTIL
Organización de la memoria
64M por 16
Tipo
Componente y Pieza
Tamaño de la memoria
1 gigabit
Lugar del origen
China
Tipo de embajaje
Cinta y Carrete (TR)
Aplicación
Memoria
Características
Componentes de Chips Electrónicos
-Tensión de alimentación
1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V
Frecuencia de reloj
2,133 GHz
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página
18 segundos
Interfaz de Memoria
LVSTL_11
Empaque y entrega
Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg
Tiempo de entrega
Descripción de producto del proveedor
Advertencia/Descargo de responsabilidad
Advertencia de la Proposición 65 de California para consumidoresVer más
2,500 - 5,499 unidades
EUR 1.37
>= 5,500 unidades
EUR 0.6845
Variantes
ElegirEspecificación
W66AP6NBQAHJ TRA
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