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Características principales

Número de pieza del fabricante

IAUCN08S7N034ATMA1

Marca

Original

Descripción

MOSFET_(75V 120V(

Lugar del origen

China

PAQUETE/cubierta

PG-TDSON-8-34

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C

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Características clave

Número de pieza del fabricante
IAUCN08S7N034ATMA1
Marca
Original
Descripción
MOSFET_(75V 120V(
Lugar del origen
China
PAQUETE/cubierta
PG-TDSON-8-34
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C
Serie
OptiMOS 7
Código de fecha de fabricación
NUEVO
FET tipo
N-Channel
FET característica
-
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
80 V
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
120A
Rds (Max) @ Id Vgs
-
Vgs (th) (Max) @ Id
-
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
10.5 nC @ 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
-
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
10V
Vgs (Max)
-
Tipo de montaje
Montaje superficial
Embalaje
Tape & Reel (TR), cinta cortada (CT), Digi-Reel
Tipo de FET
Canal N
Tecnología
MOSFET (Óxido Metálico)

Empaque y entrega

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Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
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0.1 kg

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