Atributos
Componente y PiezaTipo
NuevoCódigo de fecha de fabricación
64 MbitsTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
Cinta y Carrete (TR)Tipo de embajaje
MemoriaAplicación
Características:Componente Electrónico
Tipo de memoria:No volátil
La tecnología:FLASH - NO (SLC)
-Tensión de alimentación:1,65 V ~ 2 V
Frecuencia de reloj:120 megahercios
Organización de la memoria:16M x 4, 32M x 2, 64M x 1
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:40 µs, 3 ms
Interfaz de Memoria:SPI - E/S cuádruples, QPI
