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Componentes Electrónicos en Stock, Memoria Electrónica BOM IC EDF8132A3MA-JD-F-R TR

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Atributos

SDRAM - LPDDR3 móvilLa tecnología
VOLÁTILTipo de memoria
256M por 32Organización de la memoria
Componente y PiezaTipo
8 gigabitsTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
Tipo de embajaje:Cinta y Carrete (TR)
Aplicación:Memoria
Características:Componentes Electrónicos IC
-Tensión de alimentación:1,14 V ~ 1,95 V
Frecuencia de reloj:933 megahercios
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:-
Interfaz de Memoria:Paralelo

Características clave

La tecnología
SDRAM - LPDDR3 móvil
Tipo de memoria
VOLÁTIL
Organización de la memoria
256M por 32
Tipo
Componente y Pieza
Tamaño de la memoria
8 gigabits
Lugar del origen
China
Tipo de embajaje
Cinta y Carrete (TR)
Aplicación
Memoria
Características
Componentes Electrónicos IC
-Tensión de alimentación
1,14 V ~ 1,95 V
Frecuencia de reloj
933 megahercios
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página
-
Interfaz de Memoria
Paralelo

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg

Tiempo de entrega

Descripción de producto del proveedor

Advertencia/Descargo de responsabilidad
Advertencia de la Proposición 65 de California para consumidores
Devolución fácil
2,000 - 4,999 unidades
EUR 354
>= 5,000 unidades
EUR 177

Variantes

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Especificación

EDF8132A3MA JD FR TR

Envío

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