Atributos
Componente y PiezaTipo
NuevoCódigo de fecha de fabricación
4 Gbit (NAND), 4 Gbit (LPDDR2)Tamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
Cinta y Carrete (TR)Tipo de embajaje
MemoriaAplicación
Características:Circuito integrado de chip de componente electrónico IC
Tipo de memoria:No Volátil, Volátil
La tecnología:FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2
-Tensión de alimentación:1,8 voltios
Frecuencia de reloj:533 megahercios
Organización de la memoria:256M x 16 (NAND), 128M x 32 (LPDDR2)
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:-
Interfaz de Memoria:Paralelo
Unidades de venta:Artículo individual
Tamaño del paquete:1X1X1 cm
Peso bruto:0.100 kg
