Atributos
Componente y PiezaTipo
NuevoCódigo de fecha de fabricación
4 gigabitsTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
BandejaTipo de embajaje
MemoriaAplicación
Características:Circuito Integrado (IC)
Tipo de memoria:VOLÁTIL
La tecnología:SDRAM - LPDDR2 móvil
-Tensión de alimentación:1,14 V ~ 1,95 V
Frecuencia de reloj:400 megahercios
Organización de la memoria:64M por 64
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:-
Interfaz de Memoria:Paralelo
