Componentes Electrónicos en Existencia BOM IC IDT71P71604S167BQ 165 TBGA Memoria
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Atributos
Componente y PiezaTipo
18 megabitsTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
BandejaTipo de embajaje
MemoriaAplicación
Circuitos Integrados (IC)Características
Tipo de memoria:VOLÁTIL
La tecnología:SRAM - Sincrónico, DDR II
-Tensión de alimentación:1,7 V ~ 1,9 V
Frecuencia de reloj:167 megahercios
Organización de la memoria:512 mil x 36
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:-
Interfaz de Memoria:Paralelo
Características clave
Tipo
Componente y Pieza
Tamaño de la memoria
18 megabits
Lugar del origen
China
Tipo de embajaje
Bandeja
Aplicación
Memoria
Características
Circuitos Integrados (IC)
Tipo de memoria
VOLÁTIL
La tecnología
SRAM - Sincrónico, DDR II
-Tensión de alimentación
1,7 V ~ 1,9 V
Frecuencia de reloj
167 megahercios
Organización de la memoria
512 mil x 36
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página
-
Interfaz de Memoria
Paralelo
Empaque y entrega
Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg
Tiempo de entrega
Descripción de producto del proveedor
Advertencia/Descargo de responsabilidad
Advertencia de la Proposición 65 de California para consumidoresVer más
136 - 3,135 unidades
EUR 1087
>= 3,136 unidades
EUR 544
Variantes
ElegirEspecificación
IDT71P71604S167BQ
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