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UNITE CHANCE CO., LIMITED
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Componentes Electrónicos en Stock BOM IC, Transistores SIHD6N80E-GE3 TO-252AA

Sin reseñas
EUR 1.58
100-3,099 unidades
EUR 0.7883
≥3,100 unidades

Cantidad

Características principales

Número de pieza del fabricante

SIHD6N80E-GE3

Marca

Original

Descripción

MOSFET N-CH 800V 5.4A DPAK

Lugar del origen

China

PAQUETE/cubierta

TO-252AA

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Características clave

FET característica
-
PAQUETE/cubierta
TO-252AA
Descripción
MOSFET N-CH 800V 5.4A DPAK
Número de pieza del fabricante
SIHD6N80E-GE3
Marca
Original
Lugar del origen
China
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Serie
E
Código de fecha de fabricación
NEW
FET tipo
N-Channel
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
800 V
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
5.4A (Tc)
Rds (Max) @ Id Vgs
940mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
44 nC @ 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
827 pF @ 100 V
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
10V
Vgs (Max)
±30V
Tipo de montaje
Montaje superficial
Package
Bulk
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg

Tiempo de entrega

Descripción de producto del proveedor

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