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Componentes Electrónicos en Stock BOM IC SCTWA90N65G2V-4 HiP247 Transistores de Cables Largos

Sin reseñas
EUR2054
100-3,099 unidades
EUR1028
≥3,100 unidades

Cantidad

Características principales

Número de pieza del fabricante

SCTWA90N65G2V-4

Marca

Original

Descripción

TRANS SJT N-CH 650V 119A HIP247

Lugar del origen

China

PAQUETE/cubierta

HiP247 Plazos de entrega largos

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 200°C (TJ)

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Características clave

Número de pieza del fabricante
SCTWA90N65G2V-4
Marca
Original
Descripción
TRANS SJT N-CH 650V 119A HIP247
Lugar del origen
China
PAQUETE/cubierta
HiP247 Plazos de entrega largos
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 200°C (TJ)
Serie
-
Código de fecha de fabricación
NUEVO
FET tipo
N-Channel
FET característica
-
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
650 V
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
119A (Tc)
Rds (Max) @ Id Vgs
24mOhm @ 50A, 18V
Vgs (th) (Max) @ Id
5V @ 1mA
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
157 nC @ 18 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
3380 pF @ 400 V
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
-
Vgs (Max)
+22V, -10V
Tipo de montaje
A través del agujero
Embalaje
Tubo
Tipo de FET
Canal N
Tecnología
SiCFET (Carburo de Silicio)

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.1 kg

Tiempo de entrega

Descripción de producto del proveedor

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