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UNITE CHANCE CO., LIMITED
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Componentes Electrónicos en Stock BOM IC, Transistores SIHG35N60E-GE3 TO-247AC

Sin reseñas
EUR 2.65
100-3,099 unidades
EUR 1.33
≥3,100 unidades

Cantidad

Características principales

Número de pieza del fabricante

SIHG35N60E-GE3

Marca

Original

Descripción

MOSFET N-CH 600V 32A TO247AC

Lugar del origen

China

PAQUETE/cubierta

TO-247AC

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Características clave

Número de pieza del fabricante
SIHG35N60E-GE3
Marca
Original
Descripción
MOSFET N-CH 600V 32A TO247AC
Lugar del origen
China
PAQUETE/cubierta
TO-247AC
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Serie
E
Código de fecha de fabricación
NUEVO
FET tipo
N-Channel
FET característica
-
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
600 V
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
32A (Tc)
Rds (Max) @ Id Vgs
94mOhm @ 17A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
132 nC @ 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
2760 pF @ 100 V
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
10V
Vgs (Max)
±30V
Tipo de montaje
A través del agujero
Embalaje
Tubo
Tipo de FET
Canal N
Tecnología
MOSFET (Óxido Metálico)

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg

Tiempo de entrega

Descripción de producto del proveedor

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