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Componentes Electrónicos en Stock, Chip BOM IC, Transistores NVMFWS6D2N08XT1G 5-DFNW

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Características principales

Número de pieza del fabricante

NVMFWS6D2N08XT1G

Marca

Original

Descripción

T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL PRE

Lugar del origen

China

PAQUETE/cubierta

5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)

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Número de pieza del fabricante
NVMFWS6D2N08XT1G
Marca
Original
Descripción
T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL PRE
Lugar del origen
China
PAQUETE/cubierta
5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Serie
-
Código de fecha de fabricación
NUEVO
FET tipo
N-Channel
FET característica
-
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
80 V
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
71A (Tc)
Rds (Max) @ Id Vgs
6.2mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
3.6V @ 75µA
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
19 nC @ 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
1330 pF @ 40 V
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
10V
Vgs (Max)
±20V
Tipo de montaje
Montaje en superficie, flanco mojable
Embalaje
Tape & Reel (TR), cinta cortada (CT), Digi-Reel
Tipo de FET
Canal N
Tecnología
MOSFET (Óxido Metálico)

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.1 kg

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