Componentes Electrónicos de Circuito Integrado BOM en Existencia MT53B256M32D1NP-062 WT:C TR 200 WFBGA Memoria
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Atributos
SDRAM - LPDDR4 móvilLa tecnología
VOLÁTILTipo de memoria
256M por 32Organización de la memoria
Componente y PiezaTipo
8 gigabitsTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
Tipo de embajaje:Cinta y Carrete (TR)
Aplicación:Memoria
Características:Circuitos Integrados
-Tensión de alimentación:1,1 V
Frecuencia de reloj:1,6 gigahercios
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:-
Interfaz de Memoria:-
Características clave
La tecnología
SDRAM - LPDDR4 móvil
Tipo de memoria
VOLÁTIL
Organización de la memoria
256M por 32
Tipo
Componente y Pieza
Tamaño de la memoria
8 gigabits
Lugar del origen
China
Tipo de embajaje
Cinta y Carrete (TR)
Aplicación
Memoria
Características
Circuitos Integrados
-Tensión de alimentación
1,1 V
Frecuencia de reloj
1,6 gigahercios
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página
-
Interfaz de Memoria
-
Empaque y entrega
Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg
Tiempo de entrega
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100 - 3,099 unidades
EUR 0.4749
>= 3,100 unidades
EUR 0.2375
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MT53B256M32D1NP 062 Peso: C TR
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