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Componentes Electrónicos en Stock BOM IC, Transistores SI6473DQ-T1-GE3 8-TSSOP

Sin reseñas
EUR 0.4706
100-3,099 unidades
EUR 0.2398
≥3,100 unidades

Cantidad

Características principales

Número de pieza del fabricante

SI6473DQ-T1-GE3

Marca

Original

Descripción

MOSFET P-CH 20V 6.2A 8TSSOP

Lugar del origen

China

PAQUETE/cubierta

8-TSSOP

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Características clave

Número de pieza del fabricante
SI6473DQ-T1-GE3
Marca
Original
Descripción
MOSFET P-CH 20V 6.2A 8TSSOP
Lugar del origen
China
PAQUETE/cubierta
8-TSSOP
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Serie
TrenchFET
Código de fecha de fabricación
NUEVO
FET tipo
P-Channel
FET característica
-
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
20 V
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
6.2A (Ta)
Rds (Max) @ Id Vgs
12.5mOhm @ 9.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id
450mV @ 250µA (mín.)
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
70 nC @ 5 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
-
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
1.8V, 4.5V
Vgs (Max)
±8V
Tipo de montaje
Montaje superficial
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Tipo de FET
Canal P
Tecnología
MOSFET (Óxido Metálico)

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg

Tiempo de entrega

Descripción de producto del proveedor

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