Componente Electrónico BOM IC en Existencia MT53E384M32D2FW-046 AAT:E TR 200 TFBGA Memoria
Sin reseñas
Atributos
Componente y PiezaTipo
NuevoCódigo de fecha de fabricación
12 gigabitsTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
Cinta y Caja (TB)Tipo de embajaje
MemoriaAplicación
Características:Kit de Circuitos Integrados
Tipo de memoria:VOLÁTIL
La tecnología:SDRAM - LPDDR4X móvil
-Tensión de alimentación:1,06 V ~ 1,17 V
Frecuencia de reloj:1,066 GHz
Organización de la memoria:384M por 32
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:18 segundos
Interfaz de Memoria:Paralelo
Características clave
Tipo
Componente y Pieza
Código de fecha de fabricación
Nuevo
Tamaño de la memoria
12 gigabits
Lugar del origen
China
Tipo de embajaje
Cinta y Caja (TB)
Aplicación
Memoria
Características
Kit de Circuitos Integrados
Tipo de memoria
VOLÁTIL
La tecnología
SDRAM - LPDDR4X móvil
-Tensión de alimentación
1,06 V ~ 1,17 V
Frecuencia de reloj
1,066 GHz
Organización de la memoria
384M por 32
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página
18 segundos
Interfaz de Memoria
Paralelo
Empaque y entrega
Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg
Tiempo de entrega
Descripción de producto del proveedor
Advertencia/Descargo de responsabilidad
Advertencia de la Proposición 65 de California para consumidoresVer más
100 - 3099 unidades
EUR 0.5553
>= 3100 unidades
EUR 0.2777
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