





Atributos
H5N2521FN-E#T2Número de Modelo
A través del agujeroTipo de montaje
ChinaLugar del origen
OriginalMarca
FETs, MOSFETsAplicación funcional
TO-220FNPackage / Case
Description:POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Package:Bulk
FET Type:N-Channel
Technology:MOSFET (Metal Oxide)














