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BOM IC In Stock Electronics Component H5N2521FN-E#T2 TO-220FN Transistors

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Atributos

H5N2521FN-E#T2Número de Modelo
A través del agujeroTipo de montaje
ChinaLugar del origen
OriginalMarca
FETs, MOSFETsAplicación funcional
TO-220FNPackage / Case
Description:POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Package:Bulk
FET Type:N-Channel
Technology:MOSFET (Metal Oxide)

Características clave

Número de Modelo
H5N2521FN-E#T2
Tipo de montaje
A través del agujero
Lugar del origen
China
Marca
Original
Aplicación funcional
FETs, MOSFETs
Package / Case
TO-220FN
Description
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Package
Bulk
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg

Tiempo de entrega

Descripción de producto del proveedor

100 - 3099 unidades
EUR 0.8897
>= 3100 unidades
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