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Componente Electrónico en Stock, Circuito Integrado BOM, Memoria IS43DR86400E-3DBLI-TR 60 TFBGA

Sin reseñas
EUR250
2,000-4,999 unidades
EUR126
≥5,000 unidades

Código de fecha de fabricación

NUEVO

Características principales

Marca

Original

Número de pieza del fabricante

IS43DR86400E-3DBLI-TR

Tipo de montaje

Montaje en superficie

Tamaño de la memoria

512Mbit

Lugar del origen

China

Descripción

IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA

Envío

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Características clave

La tecnología
SDRAM - DDR2
Tipo de memoria
VOLÁTIL
Organización de la memoria
64M x 8
Tipo de montaje
Montaje en superficie
Número de pieza del fabricante
IS43DR86400E-3DBLI-TR
Marca
Original
Tamaño de la memoria
512Mbit
Lugar del origen
China
Descripción
IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA
Tipo de embajaje
Cinta y carrete (TR)
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 85°C (TA)
PAQUETE/cubierta
60-TFBGA
Serie
-
-Tensión de alimentación
1.7V ~ 1.9V
Frecuencia de reloj
333 MHz
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página
15ns
Interfaz de memoria
Paralelo
Formato de memoria
DRAM

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg

Tiempo de entrega

Descripción de producto del proveedor

Advertencia/Descargo de responsabilidad
Advertencia de la Proposición 65 de California para consumidores