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UNITE CHANCE CO., LIMITED
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Componente Electrónico BOM IC en Stock, Transistores FDFMA2N028Z 6-MicroFET

Sin reseñas
EUR 0.672
100-3,099 unidades
EUR 0.336
≥3,100 unidades

Cantidad

Características principales

Número de pieza del fabricante

FDFMA2N028Z

Marca

Original

Descripción

MOSFET N-CH 20V 3.7A 6MICROFET

Lugar del origen

China

PAQUETE/cubierta

6-MicroFET (2x2)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Características clave

FET característica
Diodo Schottky (aislado)
PAQUETE/cubierta
6-MicroFET (2x2)
Descripción
MOSFET N-CH 20V 3.7A 6MICROFET
Número de pieza del fabricante
FDFMA2N028Z
Marca
Original
Lugar del origen
China
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Serie
PowerTrench
Código de fecha de fabricación
NUEVO
FET tipo
N-Channel
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
20 V
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
3.7A (Ta)
Rds (Max) @ Id Vgs
68mOhm @ 3.7A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
6 nC @ 4.5 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
455 pF @ 10 V
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
2.5V, 4.5V
Vgs (Max)
±12V
Tipo de montaje
Montaje superficial
Embalaje
Tape & Reel (TR),Tape & Reel (TR),Cinta cortada (CT)
Tipo de FET
Canal N
Tecnología
MOSFET (Óxido Metálico)

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg

Tiempo de entrega

Descripción de producto del proveedor

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