Circuito Integrado BOM en Existencia IS61LPD51236A-250B3LI-TR 165 TBGA Memoria Comprar Componentes Electrónicos en Línea
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Atributos
SRAM - Sincrónico, SDRLa tecnología
VOLÁTILTipo de memoria
512 mil x 36Organización de la memoria
Componente y PiezaTipo
18 megabitsTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
Tipo de embajaje:Cinta y Carrete (TR)
Aplicación:Memoria
Características:Componentes Electrónicos IC
-Tensión de alimentación:3,135 V ~ 3,465 V
Frecuencia de reloj:250 megahercios
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:-
Interfaz de Memoria:Paralelo
Características clave
La tecnología
SRAM - Sincrónico, SDR
Tipo de memoria
VOLÁTIL
Organización de la memoria
512 mil x 36
Tipo
Componente y Pieza
Tamaño de la memoria
18 megabits
Lugar del origen
China
Tipo de embajaje
Cinta y Carrete (TR)
Aplicación
Memoria
Características
Componentes Electrónicos IC
-Tensión de alimentación
3,135 V ~ 3,465 V
Frecuencia de reloj
250 megahercios
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página
-
Interfaz de Memoria
Paralelo
Empaque y entrega
Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg
Tiempo de entrega
Descripción de producto del proveedor
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Advertencia de la Proposición 65 de California para consumidoresVer más
2,000 - 4,999 unidades
EUR756
≥ 5,000 unidades
EUR378
Variantes
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IS61LPD51236A 250B3LI TR
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