Atributos
Componente y PiezaTipo
NuevoCódigo de fecha de fabricación
2 Gbit (NAND), 1 Gbit (LPDRAM)Tamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
BandejaTipo de embajaje
MemoriaAplicación
Características:Circuitos Integrados
Tipo de memoria:No Volátil, Volátil
La tecnología:FLASH - NAND, LPDRAM móvil
-Tensión de alimentación:1,7 V ~ 1,95 V
Frecuencia de reloj:200 megahercios
Organización de la memoria:128M x 16 (NAND), 64M x 16 (LPDRAM)
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:-
Interfaz de Memoria:Paralelo
