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Componente Electrónico de Memoria BOM IC en Existencia MT29F1G08ABAFAH4-AAT F TR 63 VFBGA

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Atributos

MT29F1G08ABAFAH4-AAT:F TRNúmero de Modelo
Montaje superficialTipo de montaje
ChinaLugar del origen
OriginalMarca
MemoriaAplicación funcional
63 VFBGAEmpaque
Serie:Memoria
describir:CI FLASH 1GBIT PARALELO 63VFBGA
Organización de Memoria:128M x 8 millones
Interfaz de Memoria:Paralelo
Frecuencia del Reloj:-
Tiempo de Acceso:20 nanos
Unidades de venta:Artículo individual
Tamaño del paquete:1X1X1 cm
Peso bruto:0.100 kg

Características clave

Número de Modelo
MT29F1G08ABAFAH4-AAT:F TR
Tipo de montaje
Montaje superficial
Lugar del origen
China
Marca
Original
Aplicación funcional
Memoria
Empaque
63 VFBGA
Serie
Memoria
describir
CI FLASH 1GBIT PARALELO 63VFBGA
Organización de Memoria
128M x 8 millones
Interfaz de Memoria
Paralelo
Frecuencia del Reloj
-
Tiempo de Acceso
20 nanos

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg

Tiempo de entrega

Descripciónes de los productos del proveedor

2000 - 4999 unidades
EUR 1.20
>= 5000 unidades
EUR 0.596

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