Atributos
Componente y PiezaTipo
NuevoCódigo de fecha de fabricación
4 gigabitsTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
Cinta y Carrete (TR)Tipo de embajaje
MemoriaAplicación
Características:Circuito Integrado Chip IC
Tipo de memoria:VOLÁTIL
La tecnología:SDRAM - DDR4
-Tensión de alimentación:1,14 V ~ 1,26 V
Frecuencia de reloj:1,6 gigahercios
Organización de la memoria:512M x 8 millones
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:15 segundos
Interfaz de Memoria:Paralelo
