Componentes Electrónicos de Circuito Integrado BOM IC en Existencia, Memoria 119 BGA 71V3556SA150BGG8
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Atributos
SRAM - Sincrónico, SDR (ZBT)La tecnología
VOLÁTILTipo de memoria
128K por 36Organización de la memoria
Componente y PiezaTipo
4,5 MbitsTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
Tipo de embajaje:Cinta y Carrete (TR)
Aplicación:Memoria
Características:Componentes Electrónicos Circuito Integrado
-Tensión de alimentación:3,135 V ~ 3,465 V
Frecuencia de reloj:150 megahercios
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:-
Interfaz de Memoria:Paralelo
Características clave
La tecnología
SRAM - Sincrónico, SDR (ZBT)
Tipo de memoria
VOLÁTIL
Organización de la memoria
128K por 36
Tipo
Componente y Pieza
Tamaño de la memoria
4,5 Mbits
Lugar del origen
China
Tipo de embajaje
Cinta y Carrete (TR)
Aplicación
Memoria
Características
Componentes Electrónicos Circuito Integrado
-Tensión de alimentación
3,135 V ~ 3,465 V
Frecuencia de reloj
150 megahercios
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página
-
Interfaz de Memoria
Paralelo
Empaque y entrega
Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg
Tiempo de entrega
Descripción de producto del proveedor
Advertencia/Descargo de responsabilidad
Advertencia de la Proposición 65 de California para consumidoresVer más
1,000 - 3,999 unidades
EUR 388
>= 4,000 unidades
EUR 195
Variantes
ElegirEspecificación
71V3556SA150BGG8
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