Circuito Integrado BOM en Existencia, Memoria 153 TFBGA SFEM005GB1ED1TO-I-5E-11P-STD, Componente de Chips Electrónicos
Sin reseñas
Atributos
Componente y PiezaTipo
40 gigabitsTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
BandejaTipo de embajaje
MemoriaAplicación
Componentes ElectrónicosCaracterísticas
Tipo de memoria:No volátil
La tecnología:Flash - NAND
-Tensión de alimentación:2,7 V ~ 3,6 V
Frecuencia de reloj:200 megahercios
Organización de la memoria:5G por 8
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:-
Interfaz de Memoria:eMMC
Características clave
Tipo
Componente y Pieza
Tamaño de la memoria
40 gigabits
Lugar del origen
China
Tipo de embajaje
Bandeja
Aplicación
Memoria
Características
Componentes Electrónicos
Tipo de memoria
No volátil
La tecnología
Flash - NAND
-Tensión de alimentación
2,7 V ~ 3,6 V
Frecuencia de reloj
200 megahercios
Organización de la memoria
5G por 8
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página
-
Interfaz de Memoria
eMMC
Empaque y entrega
Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg
Tiempo de entrega
Descripción de producto del proveedor
Advertencia/Descargo de responsabilidad
Advertencia de la Proposición 65 de California para consumidoresVer más
1 - 3,000 unidades
EUR 785
>= 3,001 unidades
EUR 393
Variantes
ElegirEspecificación
SFEM005GB1ED1TO I 5E 11P estándar
Envío
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