Componentes Electrónicos de Circuito Integrado BOM IC en Existencia, Memoria 200 WFBGA MT53E256M32D2DS-053 AIT:B
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Atributos
SDRAM - LPDDR4 móvilLa tecnología
VOLÁTILTipo de memoria
256M por 32Organización de la memoria
Componente y PiezaTipo
8 gigabitsTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
Tipo de embajaje:Bandeja
Aplicación:Memoria
Características:Componente Electrónico
-Tensión de alimentación:1,1 V
Frecuencia de reloj:1,866 GHz
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:-
Interfaz de Memoria:-
Características clave
La tecnología
SDRAM - LPDDR4 móvil
Tipo de memoria
VOLÁTIL
Organización de la memoria
256M por 32
Tipo
Componente y Pieza
Tamaño de la memoria
8 gigabits
Lugar del origen
China
Tipo de embajaje
Bandeja
Aplicación
Memoria
Características
Componente Electrónico
-Tensión de alimentación
1,1 V
Frecuencia de reloj
1,866 GHz
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página
-
Interfaz de Memoria
-
Empaque y entrega
Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg
Tiempo de entrega
Descripción de producto del proveedor
Advertencia/Descargo de responsabilidad
Advertencia de la Proposición 65 de California para consumidoresVer más
1 - 3,000 unidades
EUR 763
>= 3,001 unidades
EUR 382
Variantes
ElegirEspecificación
MT53E256M32D2DS 053 AIT:B
Envío
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