Atributos
Componente y PiezaTipo
NuevoCódigo de fecha de fabricación
8 gigabitsTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
-Tipo de embajaje
MemoriaAplicación
Características:Componentes Electrónicos IC
Tipo de memoria:VOLÁTIL
La tecnología:SDRAM - LPDDR4X móvil
-Tensión de alimentación:1,17 V ~ 1,06 V, 1,95 V ~ 1,7 V
Frecuencia de reloj:2,133 GHz
Organización de la memoria:512M x 16 millones
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:18 segundos
Interfaz de Memoria:Paralelo
