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Circuito Integrado BOM en Existencia, Memoria 200 VFBGA MT53E768M32D4DT-053 AIT:E, Componente de Chips Electrónicos

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Atributos

SDRAM - LPDDR4 móvilLa tecnología
VOLÁTILTipo de memoria
768 millones x 32Organización de la memoria
Componente y PiezaTipo
24 gigabitsTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
Tipo de embajaje:Bandeja
Aplicación:Memoria
Características:Circuito Integrado IC
-Tensión de alimentación:1,1 V
Frecuencia de reloj:1,866 GHz
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:-
Interfaz de Memoria:-

Características clave

La tecnología
SDRAM - LPDDR4 móvil
Tipo de memoria
VOLÁTIL
Organización de la memoria
768 millones x 32
Tipo
Componente y Pieza
Tamaño de la memoria
24 gigabits
Lugar del origen
China
Tipo de embajaje
Bandeja
Aplicación
Memoria
Características
Circuito Integrado IC
-Tensión de alimentación
1,1 V
Frecuencia de reloj
1,866 GHz
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página
-
Interfaz de Memoria
-

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg

Tiempo de entrega

Descripción de producto del proveedor

Advertencia/Descargo de responsabilidad
Advertencia de la Proposición 65 de California para consumidores
1,360 - 4,359 unidades
EUR 979
>= 4,360 unidades
EUR 490

Variantes

Elegir

Especificación

MT53E768M32D4DT 053 AIT: E

Envío

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