Componentes Electrónicos de Circuito Integrado BOM IC en Existencia, Memoria 200 TFBGA MT53E768M32D4DE-046 IT E
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Atributos
Montaje superficialTipo de montaje
MemoriaAplicación funcional
MT53E768M32D4DE-046 IT:ENúmero de Modelo
ChinaLugar del origen
OriginalMarca
200 bolsas de FGBAEmpaque
Serie:Memoria
describir:Circuito integrado DRAM 24GBIT 200TFBGA
Organización de Memoria:768 millones x 32
Interfaz de Memoria:Paralelo
Frecuencia del Reloj:2,133 GHz
Tiempo de Acceso:3,5 nanos
Características clave
Tipo de montaje
Montaje superficial
Aplicación funcional
Memoria
Número de Modelo
MT53E768M32D4DE-046 IT:E
Lugar del origen
China
Marca
Original
Empaque
200 bolsas de FGBA
Serie
Memoria
describir
Circuito integrado DRAM 24GBIT 200TFBGA
Organización de Memoria
768 millones x 32
Interfaz de Memoria
Paralelo
Frecuencia del Reloj
2,133 GHz
Tiempo de Acceso
3,5 nanos
Empaque y entrega
Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg
Tiempo de entrega
Descripción de producto del proveedor
100 - 3,099 unidades
EUR 0.5534
>= 3,100 unidades
EUR 0.2767
Variantes
ElegirCaracterísticas
MT53E768M32D4DE 046 TI: E
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