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Componente electrónico BOM IC en stock, memoria 200 TFBGA MT53E768M32D4DE-046 AAT:E

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EUR1012
1,360-4,359 unidades
EUR507
≥4,360 unidades
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Código de fecha de fabricación

NUEVO

Características principales

Marca

Original

Número de pieza del fabricante

MT53E768M32D4DE-046 AAT:E

Tipo de montaje

Montaje en superficie

Tamaño de la memoria

24Gbit

Lugar del origen

China

Descripción

IC DRAM 24GBIT 200TFBGA

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Características clave

Marca
Original
Número de pieza del fabricante
MT53E768M32D4DE-046 AAT:E
Tipo de montaje
Montaje en superficie
Tamaño de la memoria
24Gbit
Lugar del origen
China
Descripción
IC DRAM 24GBIT 200TFBGA
Tipo de embajaje
Bandeja
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 105°C (TC)
PAQUETE/cubierta
200-TFBGA
Serie
-
Tipo de memoria
VOLÁTIL
La tecnología
SDRAM - LPDDR4X móvil
-Tensión de alimentación
1.06V ~ 1.17V
Frecuencia de reloj
2.133 GHz
Organización de la memoria
768M x 32
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página
18ns
Interfaz de memoria
LVSTL
Formato de memoria
DRAM

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.1 kg

Tiempo de entrega

Descripción de producto del proveedor

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