Circuito Integrado BOM en Existencia, Memoria 54 TSOP M3008316045NX0ITBY, Componentes Electrónicos
Sin reseñas
Atributos
Componente y PiezaTipo
8 MbitsTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
BandejaTipo de embajaje
MemoriaAplicación
Circuito Integrado ChipCaracterísticas
Tipo de memoria:No volátil
La tecnología:MRAM (RAM magnetoresistiva)
-Tensión de alimentación:2,7 V ~ 3,6 V
Frecuencia de reloj:-
Organización de la memoria:512K por 16
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:45 segundos
Interfaz de Memoria:Paralelo
Características clave
Tipo
Componente y Pieza
Tamaño de la memoria
8 Mbits
Lugar del origen
China
Tipo de embajaje
Bandeja
Aplicación
Memoria
Características
Circuito Integrado Chip
Tipo de memoria
No volátil
La tecnología
MRAM (RAM magnetoresistiva)
-Tensión de alimentación
2,7 V ~ 3,6 V
Frecuencia de reloj
-
Organización de la memoria
512K por 16
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página
45 segundos
Interfaz de Memoria
Paralelo
Empaque y entrega
Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg
Tiempo de entrega
Descripción de producto del proveedor
Advertencia/Descargo de responsabilidad
Advertencia de la Proposición 65 de California para consumidoresVer más
96 - 3,095 unidades
EUR 1046
>= 3,096 unidades
EUR 523
Variantes
ElegirEspecificación
M3008316045NX0ITB
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