Circuito Integrado BOM en Existencia, Memoria 66 TSSOP MT46V64M8TG-6T IT:F, Componente de Chips Electrónicos TR
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Atributos
SDRAM -DDRLa tecnología
VOLÁTILTipo de memoria
64M x 8 millonesOrganización de la memoria
Componente y PiezaTipo
512 MbitsTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
Tipo de embajaje:Cinta y Carrete (TR)
Aplicación:Memoria
Características:Componentes Electrónicos
-Tensión de alimentación:2,3 V ~ 2,7 V
Frecuencia de reloj:167 megahercios
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:15 segundos
Interfaz de Memoria:Paralelo
Características clave
La tecnología
SDRAM -DDR
Tipo de memoria
VOLÁTIL
Organización de la memoria
64M x 8 millones
Tipo
Componente y Pieza
Tamaño de la memoria
512 Mbits
Lugar del origen
China
Tipo de embajaje
Cinta y Carrete (TR)
Aplicación
Memoria
Características
Componentes Electrónicos
-Tensión de alimentación
2,3 V ~ 2,7 V
Frecuencia de reloj
167 megahercios
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página
15 segundos
Interfaz de Memoria
Paralelo
Empaque y entrega
Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg
Tiempo de entrega
Descripción de producto del proveedor
Advertencia/Descargo de responsabilidad
Advertencia de la Proposición 65 de California para consumidoresVer más
1,000 - 3,999 unidades
EUR 3.00
>= 4,000 unidades
EUR 150
Variantes
ElegirEspecificación
MT46V64M8TG 6T TI: F TR
Envío
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