Componentes Electrónicos en Stock: Memoria BOM IC 78 TFBGA MT41K512M8RH-125 V:E, Compre en Línea
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Atributos
SDRAM - DDR3LLa tecnología
VOLÁTILTipo de memoria
512M x 8 millonesOrganización de la memoria
Componente y PiezaTipo
4 gigabitsTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
Tipo de embajaje:Bandeja
Aplicación:Memoria
Características:Componente Electrónico
-Tensión de alimentación:1,283 V ~ 1,45 V
Frecuencia de reloj:800 megahercios
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:-
Interfaz de Memoria:Paralelo

5Chips Tech Limited
HK1 años en Alibaba.com
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Principales mercados: Kazajstán, Hong Kong S.A.R., Estados Unidos de América, Australia, Singapur
Características clave
La tecnología
SDRAM - DDR3L
Tipo de memoria
VOLÁTIL
Organización de la memoria
512M x 8 millones
Tipo
Componente y Pieza
Tamaño de la memoria
4 gigabits
Lugar del origen
China
Tipo de embajaje
Bandeja
Aplicación
Memoria
Características
Componente Electrónico
-Tensión de alimentación
1,283 V ~ 1,45 V
Frecuencia de reloj
800 megahercios
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página
-
Interfaz de Memoria
Paralelo
Empaque y entrega
Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
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MT41K512M8RH 125 V: E
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