Circuito Integrado BOM en Existencia, Memoria 84 TFBGA MT47H64M16HR-25E L:G, Componente de Chips Electrónicos
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Atributos
SDRAM - DDR2La tecnología
VOLÁTILTipo de memoria
64M por 16Organización de la memoria
Componente y PiezaTipo
1 gigabitTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
Tipo de embajaje:Bandeja
Aplicación:Memoria
Características:Componente Electrónico
-Tensión de alimentación:1,7 V ~ 1,9 V
Frecuencia de reloj:400 megahercios
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:15 segundos
Interfaz de Memoria:Paralelo
Características clave
La tecnología
SDRAM - DDR2
Tipo de memoria
VOLÁTIL
Organización de la memoria
64M por 16
Tipo
Componente y Pieza
Tamaño de la memoria
1 gigabit
Lugar del origen
China
Tipo de embajaje
Bandeja
Aplicación
Memoria
Características
Componente Electrónico
-Tensión de alimentación
1,7 V ~ 1,9 V
Frecuencia de reloj
400 megahercios
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página
15 segundos
Interfaz de Memoria
Paralelo
Empaque y entrega
Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg
Tiempo de entrega
Descripción de producto del proveedor
Advertencia/Descargo de responsabilidad
Advertencia de la Proposición 65 de California para consumidoresVer más
100 - 3,099 unidades
EUR 0.5534
>= 3,100 unidades
EUR 0.2767
Variantes
ElegirEspecificación
MT47H64M16HR 25E largo: ancho
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