Componente Electrónico BOM IC en Stock, Memoria 8 VDFN con Contacto Expuesto EM032LXQADG13ES1T, Compre Componentes Electrónicos en Línea
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Atributos
Componente y PiezaTipo
32 megabitsTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
BandejaTipo de embajaje
MemoriaAplicación
Componentes Electrónicos en LíneaCaracterísticas
Tipo de memoria:No volátil
La tecnología:MRAM (RAM magnetoresistiva)
-Tensión de alimentación:1,65 V ~ 2 V
Frecuencia de reloj:200 megahercios
Organización de la memoria:4M por 8
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:-
Interfaz de Memoria:SPI - E/S cuádruples
Características clave
Tipo
Componente y Pieza
Tamaño de la memoria
32 megabits
Lugar del origen
China
Tipo de embajaje
Bandeja
Aplicación
Memoria
Características
Componentes Electrónicos en Línea
Tipo de memoria
No volátil
La tecnología
MRAM (RAM magnetoresistiva)
-Tensión de alimentación
1,65 V ~ 2 V
Frecuencia de reloj
200 megahercios
Organización de la memoria
4M por 8
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página
-
Interfaz de Memoria
SPI - E/S cuádruples
Empaque y entrega
Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg
Tiempo de entrega
Descripción de producto del proveedor
Advertencia/Descargo de responsabilidad
Advertencia de la Proposición 65 de California para consumidoresVer más
580 - 3,579 unidades
EUR 1353
>= 3,580 unidades
EUR 677
Variantes
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EM032LXQADG13ES1T
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