Circuito Integrado BOM en Existencia, Memoria MT41K512M8V00HWC1-N001, Componente de Chip Electrónico
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Atributos
SDRAM - DDR3LLa tecnología
VOLÁTILTipo de memoria
512M x 8 millonesOrganización de la memoria
Componente y PiezaTipo
4 gigabitsTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
Tipo de embajaje:A granel
Aplicación:Memoria
Características:Circuitos Integrados Electrónicos
-Tensión de alimentación:1,283 V ~ 1,45 V
Frecuencia de reloj:-
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:-
Interfaz de Memoria:Paralelo
Características clave
La tecnología
SDRAM - DDR3L
Tipo de memoria
VOLÁTIL
Organización de la memoria
512M x 8 millones
Tipo
Componente y Pieza
Tamaño de la memoria
4 gigabits
Lugar del origen
China
Tipo de embajaje
A granel
Aplicación
Memoria
Características
Circuitos Integrados Electrónicos
-Tensión de alimentación
1,283 V ~ 1,45 V
Frecuencia de reloj
-
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página
-
Interfaz de Memoria
Paralelo
Empaque y entrega
Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg
Tiempo de entrega
Descripción de producto del proveedor
Advertencia/Descargo de responsabilidad
Advertencia de la Proposición 65 de California para consumidoresVer más
100 - 3,099 unidades
EUR 0.5534
>= 3,100 unidades
EUR 0.2767
Variantes
ElegirEspecificación
MT41K512M8V00HWC1 N001
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