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Transistores BOM IC en Stock PJQ4416EP_R2_00001 DFN3333-8, Chips Electrónicos, Componentes

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≥3,100 unidades

Cantidad

Características principales

Número de pieza del fabricante

PJQ4416EP_R2_00001

Marca

Original

Descripción

20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

Lugar del origen

China

PAQUETE/cubierta

DFN3333-8

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Características clave

Número de pieza del fabricante
PJQ4416EP_R2_00001
Marca
Original
Descripción
20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Lugar del origen
China
PAQUETE/cubierta
DFN3333-8
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Serie
-
Código de fecha de fabricación
NUEVO
FET tipo
N-Channel
FET característica
-
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
20 V
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
11A (Ta), 30A (Tc)
Rds (Max) @ Id Vgs
11mOhm @ 10A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
16 nC @ 4.5 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
1117 pF @ 10 V
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
1.8V, 4.5V
Vgs (Max)
±10V
Tipo de montaje
Montaje superficial
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Tipo de FET
Canal N
Tecnología
MOSFET (Óxido Metálico)

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.1 kg

Tiempo de entrega

Descripción de producto del proveedor

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