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Transistores BOM IC en Stock 3-MPAK RQJ0303PGDQA # Componente Electrónico H6

Sin reseñas
EUR 0.68
100-3,099 unidades
EUR 0.3444
≥3,100 unidades

Cantidad

Características principales

Número de pieza del fabricante

RQJ0303PGDQA#H6

Marca

Original

Descripción

MOSFET P-CH 30V 3.3A 3MPAK

Lugar del origen

China

PAQUETE/cubierta

3-MPAK

Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)

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Características clave

Número de pieza del fabricante
RQJ0303PGDQA#H6
Marca
Original
Descripción
MOSFET P-CH 30V 3.3A 3MPAK
Lugar del origen
China
PAQUETE/cubierta
3-MPAK
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Serie
-
Código de fecha de fabricación
NUEVO
FET tipo
P-Channel
FET característica
-
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
30 V
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
3.3A (Ta)
Rds (Max) @ Id Vgs
68mOhm @ 1.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
-
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
625 pF @ 10 V
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
4.5V, 10V
Vgs (Max)
+10V, -20V
Tipo de montaje
Montaje superficial
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Tipo de FET
Canal P
Tecnología
MOSFET (Óxido Metálico)

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.1 kg

Tiempo de entrega

Descripción de producto del proveedor

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