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Transistores BOM IC en Stock 4-DFN-EP TW092V65C, Componentes Electrónicos LQ

Sin reseñas
EUR1398
100-3,099 unidades
EUR699
≥3,100 unidades

Cantidad

Características principales

Número de pieza del fabricante

TW092V65C,LQ

Marca

Original

Descripción

MOSFET N-CH SIC, 650 V, 0.092 OH

Lugar del origen

China

PAQUETE/cubierta

4-DFN-EP (8x8)

Temperatura de funcionamiento

175°C

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Características clave

Número de pieza del fabricante
TW092V65C,LQ
Marca
Original
Descripción
MOSFET N-CH SIC, 650 V, 0.092 OH
Lugar del origen
China
PAQUETE/cubierta
4-DFN-EP (8x8)
Temperatura de funcionamiento
175°C
Serie
-
Código de fecha de fabricación
NUEVO
FET tipo
N-Channel
FET característica
-
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
650 V
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
27A (Tc)
Rds (Max) @ Id Vgs
-
Vgs (th) (Max) @ Id
5V @ 600µA
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
28 nC @ 18 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
873 pF @ 400 V
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
18V
Vgs (Max)
+25V, -10V
Tipo de montaje
Montaje superficial
Embalaje
Tape & Reel (TR), cinta cortada (CT), Digi-Reel
Tipo de FET
Canal N
Tecnología
SiC (Transistor de Unión de Carburo de Silicio)

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.1 kg

Tiempo de entrega

Descripción de producto del proveedor

Advertencia/Descargo de responsabilidad
Advertencia de la Proposición 65 de California para consumidores