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Transistores BOM IC en Stock, 6-Pin Micro SI8499DB-T2-E1, Componentes Electrónicos

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≥3,100 unidades

Cantidad

Características principales

Número de pieza del fabricante

SI8499DB-T2-E1

Marca

Original

Descripción

MOSFET P-CH 20V 16A 6MICRO FOOT

Lugar del origen

China

PAQUETE/cubierta

6-Micro Pie (1.5x1)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Características clave

Número de pieza del fabricante
SI8499DB-T2-E1
Marca
Original
Descripción
MOSFET P-CH 20V 16A 6MICRO FOOT
Lugar del origen
China
PAQUETE/cubierta
6-Micro Pie (1.5x1)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Serie
TrenchFET
Código de fecha de fabricación
NUEVO
FET tipo
P-Channel
FET característica
-
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
20 V
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
16A (Tc)
Rds (Max) @ Id Vgs
32mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id
1.3V @ 250µA
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
30 nC @ 5 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
1300 pF @ 10 V
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
1.8V, 4.5V
Vgs (Max)
±12V
Tipo de montaje
Montaje superficial
Embalaje
Tape & Reel (TR), cinta cortada (CT), Digi-Reel
Tipo de FET
Canal P
Tecnología
MOSFET (Óxido Metálico)

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.1 kg

Tiempo de entrega

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