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Componentes Electrónicos BOM IC en Stock, Transistores PowerDI5060-8 DMT34M2LPS-13

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Cantidad

Características principales

Número de pieza del fabricante

DMT34M2LPS-13

Marca

Original

Descripción

MOSFET BVDSS: 25V 30V POWERDI506

Lugar del origen

China

PAQUETE/cubierta

PowerDI5060-8

Temperatura de funcionamiento

-

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Características clave

Número de pieza del fabricante
DMT34M2LPS-13
Marca
Original
Descripción
MOSFET BVDSS: 25V 30V POWERDI506
Lugar del origen
China
PAQUETE/cubierta
PowerDI5060-8
Temperatura de funcionamiento
-
Serie
-
Código de fecha de fabricación
NUEVO
FET tipo
N-Channel
FET característica
-
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
30 V
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
21A (Ta), 100A (Tc)
Rds (Max) @ Id Vgs
3.2mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
39 nC @ 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
2242 pF @ 15 V
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
4.5V, 10V
Vgs (Max)
±20V
Tipo de montaje
Montaje superficial
Embalaje
Cinta y carrete (TR)
Tipo de FET
Canal N
Tecnología
MOSFET (Óxido Metálico)

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.1 kg

Tiempo de entrega

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