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Transistores BOM IC en Stock PowerPAK 1212-8 SIS4608LDN-T1-GE3 Comprar Componentes Electrónicos en Línea

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Características principales

Número de pieza del fabricante

SIS4608LDN-T1-GE3

Marca

Original

Descripción

MOSFET de potencia N-CHANNEL 60 V (D-S)

Lugar del origen

China

PAQUETE/cubierta

PowerPAK 1212-8

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Características clave

Número de pieza del fabricante
SIS4608LDN-T1-GE3
Marca
Original
Descripción
MOSFET de potencia N-CHANNEL 60 V (D-S)
Lugar del origen
China
PAQUETE/cubierta
PowerPAK 1212-8
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Serie
TrenchFET de cuarta generación
Código de fecha de fabricación
NUEVO
FET tipo
N-Channel
FET característica
-
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
60 V
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
12.6A (Ta), 36.2A (Tc)
Rds (Max) @ Id Vgs
11.5mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
23 nC @ 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
905 pF @ 30 V
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
4.5V, 10V
Vgs (Max)
±20V
Tipo de montaje
Montaje superficial
Embalaje
Tape & Reel (TR), cinta cortada (CT), Digi-Reel
Tipo de FET
Canal N
Tecnología
MOSFET (Óxido Metálico)

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.1 kg

Tiempo de entrega

Descripción de producto del proveedor

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