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UNITE CHANCE CO., LIMITED
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Principales mercados: Estados Unidos de América, República de Corea, India, Argentina, Líbano

Transistores BOM IC en Stock TO-247-3 E3M0160120D Componente Electrónico

Sin reseñas
EUR 6.08
100-3,099 unidades
EUR 3.04
≥3,100 unidades

Cantidad

Características principales

Número de pieza del fabricante

E3M0160120D

Marca

Original

Descripción

SIC, MOSFET, 160M, 1200V, TO-247

Lugar del origen

China

PAQUETE/cubierta

TO-247-3

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)

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Características clave

Número de pieza del fabricante
E3M0160120D
Marca
Original
Descripción
SIC, MOSFET, 160M, 1200V, TO-247
Lugar del origen
China
PAQUETE/cubierta
TO-247-3
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Serie
Serie E
Código de fecha de fabricación
NUEVO
FET tipo
N-Channel
FET característica
-
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
1200 V
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
17.9A (Tc)
Rds (Max) @ Id Vgs
208 miliohmios a 8,5 A, 15 V
Vgs (th) (Max) @ Id
3.6V @ 2.33mA
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
33 nC @ 15 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
730 pF @ 1000 V
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
15V
Vgs (Max)
-8V, +19V
Tipo de montaje
A través del agujero
Embalaje
Bandeja
Tipo de FET
Canal N
Tecnología
SiCFET (Carburo de Silicio)

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg

Tiempo de entrega

Descripción de producto del proveedor

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