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Transistores BOM IC en Stock TO-247N SCT3120ALGC11 Componentes Electrónicos

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EUR309
≥3,100 unidades

Cantidad

Características principales

Número de pieza del fabricante

SCT3120ALGC11

Marca

Original

Descripción

SICFET N-CH 650V 21A TO247N

Lugar del origen

China

PAQUETE/cubierta

TO-247N

Temperatura de funcionamiento

175°C (TJ)

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Características clave

Número de pieza del fabricante
SCT3120ALGC11
Marca
Original
Descripción
SICFET N-CH 650V 21A TO247N
Lugar del origen
China
PAQUETE/cubierta
TO-247N
Temperatura de funcionamiento
175°C (TJ)
Serie
-
Código de fecha de fabricación
NUEVO
FET tipo
N-Channel
FET característica
-
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
650 V
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
21A (Tc)
Rds (Max) @ Id Vgs
156mOhm @ 6.7A, 18V
Vgs (th) (Max) @ Id
5.6V @ 3.33mA
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
38 nC @ 18 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
460 pF @ 500 V
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
18V
Vgs (Max)
+22V, -4V
Tipo de montaje
A través del agujero
Embalaje
Tubo
Tipo de FET
Canal N
Tecnología
SiCFET (Carburo de Silicio)

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.1 kg

Tiempo de entrega

Descripción de producto del proveedor

Advertencia/Descargo de responsabilidad
Advertencia de la Proposición 65 de California para consumidores