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Cantidad
Características principales
Número de pieza del fabricante
IRLZ24NLPBF
Marca
Original
Descripción
MOSFET N-CH 55V 18A TO262
Lugar del origen
China
PAQUETE/cubierta
TO-262
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
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IRLZ24NLPBF
Marca
Original
Descripción
MOSFET N-CH 55V 18A TO262
Lugar del origen
China
PAQUETE/cubierta
TO-262
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Serie
HEXFET
Código de fecha de fabricación
NUEVO
FET tipo
N-Channel
FET característica
-
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
55 V
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
18A (Tc)
Rds (Max) @ Id Vgs
60mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
15 nC @ 5 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
480 pF @ 25 V
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
4V, 10V
Vgs (Max)
±16V
Tipo de montaje
A través del agujero
Embalaje
Tubo
Tipo de FET
Canal N
Tecnología
MOSFET (Óxido Metálico)
Empaque y entrega
Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.1 kg
Tiempo de entrega
Descripción de producto del proveedor
Advertencia/Descargo de responsabilidad
Advertencia de la Proposición 65 de California para consumidores