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Transistores BOM IC en Stock TSMT6 RSQ020N03HZGTR Comprar Componentes Electrónicos en Línea

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Cantidad

Características principales

Número de pieza del fabricante

RSQ020N03HZGTR

Marca

Original

Descripción

MOSFET N-CH 30V 2A TSMT6

Lugar del origen

China

PAQUETE/cubierta

TSMT6 (SC-95)

Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)

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Características clave

Número de pieza del fabricante
RSQ020N03HZGTR
Marca
Original
Descripción
MOSFET N-CH 30V 2A TSMT6
Lugar del origen
China
PAQUETE/cubierta
TSMT6 (SC-95)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Serie
-
Código de fecha de fabricación
NUEVO
FET tipo
N-Channel
FET característica
-
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
30 V
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
2A (Ta)
Rds (Max) @ Id Vgs
134mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
3.1 nC @ 5 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
110 pF @ 10 V
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
4V, 10V
Vgs (Max)
±20V
Tipo de montaje
Montaje superficial
Embalaje
Tape & Reel (TR), cinta cortada (CT), Digi-Reel
Tipo de FET
Canal N
Tecnología
MOSFET (Óxido Metálico)

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.1 kg

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