Circuito Integrado BOM en Existencia W63AH6NBVADI 178 VFBGA, Componente de Memoria Electrónica
Puntuación de la tienda:
4.6
(3 reseñas)
Atributos
SDRAM - LPDDR3 móvilLa tecnología
VOLÁTILTipo de memoria
64M por 16Organización de la memoria
Componente y PiezaTipo
1 gigabitTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
Tipo de embajaje:Bandeja
Aplicación:Memoria
Características:Circuito Integrado Chip IC
-Tensión de alimentación:1,14 V ~ 1,3 V, 1,7 V ~ 1,95 V
Frecuencia de reloj:1,066 GHz
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:15 segundos
Interfaz de Memoria:número de escuela_12
Características clave
La tecnología
SDRAM - LPDDR3 móvil
Tipo de memoria
VOLÁTIL
Organización de la memoria
64M por 16
Tipo
Componente y Pieza
Tamaño de la memoria
1 gigabit
Lugar del origen
China
Tipo de embajaje
Bandeja
Aplicación
Memoria
Características
Circuito Integrado Chip IC
-Tensión de alimentación
1,14 V ~ 1,3 V, 1,7 V ~ 1,95 V
Frecuencia de reloj
1,066 GHz
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página
15 segundos
Interfaz de Memoria
número de escuela_12
Empaque y entrega
Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg
Tiempo de entrega
Descripción de producto del proveedor
Advertencia/Descargo de responsabilidad
Advertencia de la Proposición 65 de California para consumidoresVer más
1 - 3,000 unidades
EUR 228
>= 3,001 unidades
EUR 115
Variantes
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W63AH6NBAVDI
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