Atributos
TSF65R550Número de Modelo
MOSFETsTipo
Original BrandMarca
MOSFETsTipo de paquete
MOSFET TSF65R550Descripción
ChinaLugar del origen
PAQUETE/cubierta:TO-220F
Temperatura de funcionamiento:-55 A + 150 Celsius
Serie:TSF65R550
d/c:Aleatorio o contacto
Uso:MOSFETs
Tipo de Proveedor:Agencia, Minorista
Referencia cruzada:Referencia cruzada estándar
Los medios disponibles:Hoja de Datos
Corriente de colector (Ic) (máx.):Ic estándar
-Tensión de ruptura colector-emisor (Max):Voltaje estándar de la avería
Vce de saturación (Max) @ Ib Ic:Saturación Vce estándar
Corriente de colector de corte (Max):Corriente de corte de colector estándar
Ganancia de corriente DC (hFE) (mín.) @ Ic Vce:HFE estándar
Poder-Max:Potencia estándar
-Frecuencia de transición:Frecuencia estándar
Tipo de Montaje:Tipo de montaje estándar
Resistencia Base (R1):Estándar R1
Resistencia-emisor Base (R2):R2 estándar
FET tipo:FET estándar
FET característica:FET estándar
Tensión de drenador a fuente (Vdss):Vdss estándar
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C:Id. estándar
Rds (Max) @ Id Vgs:Rds estándar encendido
Vgs (th) (Max) @ Id:Vgs estándar (TH)
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs:Qg estándar
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds):CISS estándar
Frecuencia:Frecuencia estándar
Corriente nominal (en amperios):Clasificación actual estándar
Ruido:Bajo Ruido
Potencia de salida:Potencia de salida estándar
-Tensión nominal:Tensión nominal estándar
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds):Voltaje estándar de la impulsión
Vgs (Max):Estándar Vgs
Tipo IGBT de:IGBT estándar
Configuración:Comprobar hoja de datos
Vce (on) (Max) @ Vge Ic:Vec estándar en
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce:Cies estándar
De entrada:Entrada estándar
Termistor NTC:NTC estándar
-Tensión de distribución (V (BR) GSS):Estándar V(BR)GSS
Corriente de drenaje (IDS) @ Vds (Vgs = 0):Idss estándar
Corriente de drenaje (Id).:Id. estándar
-Tensión de corte (VGS) @ Id:VGS estándar apagado
Resistencia-On (RDS):Resistencia estándar
Tensión de salida-salida:Voltaje estándar
-Tensión Offset (Vt):Vt estándar
Actual-puerta a ánodo fugas (Igao):Igao estándar
Corriente de Valle Iv):Iv estándar
Corriente de pico:Corriente de pico estándar
Tipo de Transistor:Transistor estándar
Tipo de montaje:Standard Mounting Type
Embalaje:Tubo-embalado
Disipación de poder (Pd):21W
Drenaje al voltaje de la fuente:650V
Corriente de drenaje continuo (Id):8a
Número:1 canal N
RDS (encendido):550mOhm a 10V
Lugar de origen:China
