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Módulo BSM400C12P3G202, Transistores, Chips Electrónicos, Componente Original

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EUR50877
100-3,099 unidades
EUR25440
≥3,100 unidades

Cantidad

Características principales

Número de pieza del fabricante

BSM400C12P3G202

Marca

Original

Descripción

MÓDULO SICFET N-CH 1200V 400A

Lugar del origen

China

PAQUETE/cubierta

Módulo

Temperatura de funcionamiento

175°C (TJ)

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Características clave

Número de pieza del fabricante
BSM400C12P3G202
Marca
Original
Descripción
MÓDULO SICFET N-CH 1200V 400A
Lugar del origen
China
PAQUETE/cubierta
Módulo
Temperatura de funcionamiento
175°C (TJ)
Serie
-
Código de fecha de fabricación
NUEVO
FET tipo
N-Channel
FET característica
-
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
1200 V
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
400A (Tc)
Rds (Max) @ Id Vgs
-
Vgs (th) (Max) @ Id
5.6V @ 106.8mA
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
-
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
17000 pF @ 10 V
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
-
Vgs (Max)
+22V, -4V
Tipo de montaje
Montaje del chasis
Embalaje
Bandeja
Tipo de FET
Canal N
Tecnología
SiCFET (Carburo de Silicio)

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg

Tiempo de entrega

Descripción de producto del proveedor

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