Circuito integrado de interruptor de potencia de alta corriente inteligente BTS550 | Chip Controlador de Carga de 60V 115A BTS550P A189
Sin reseñas
Atributos
BTS550PNúmero de Modelo
FET de puente de mosTipo
OriginalMarca
Agujero de labranzaTipo de paquete
Chip controlador de carga de 60V 115ADescripción
OriginalLugar del origen
PAQUETE/cubierta:Estándar
Temperatura de funcionamiento:/
Serie:BTS550P BTS550P BTS550P
d/c:/
Uso:Chip controlador de carga de 60V 115A
Referencia cruzada:/
Corriente de colector (Ic) (máx.):/
-Tensión de ruptura colector-emisor (Max):/
Vce de saturación (Max) @ Ib Ic:/
Corriente de colector de corte (Max):/
Ganancia de corriente DC (hFE) (mín.) @ Ic Vce:/
Poder-Max:/
-Frecuencia de transición:/
Tipo de Montaje:A través del agujero
Resistencia Base (R1):/
Resistencia-emisor Base (R2):/
FET tipo:/
FET característica:/
Tensión de drenador a fuente (Vdss):/
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C:/
Rds (Max) @ Id Vgs:/
Vgs (th) (Max) @ Id:/
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs:/
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds):/
Frecuencia:/
Corriente nominal (en amperios):/
Ruido:/
Potencia de salida:/
-Tensión nominal:/
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds):/
Vgs (Max):/
Tipo IGBT de:/
Configuración:/
Vce (on) (Max) @ Vge Ic:/
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce:/
De entrada:/
Termistor NTC:/
-Tensión de distribución (V (BR) GSS):/
Corriente de drenaje (IDS) @ Vds (Vgs = 0):/
Corriente de drenaje (Id).:/
-Tensión de corte (VGS) @ Id:/
Resistencia-On (RDS):/
Tensión de salida-salida:/
-Tensión Offset (Vt):/
Actual-puerta a ánodo fugas (Igao):/
Corriente de Valle Iv):/
Corriente de pico:/
Tipo de Transistor:/
Tipo de montaje:A través del agujero
Características clave
Número de Modelo
BTS550P
Tipo
FET de puente de mos
Marca
Original
Tipo de paquete
Agujero de labranza
Descripción
Chip controlador de carga de 60V 115A
Lugar del origen
Original
PAQUETE/cubierta
Estándar
Temperatura de funcionamiento
/
Serie
BTS550P BTS550P BTS550P
d/c
/
Uso
Chip controlador de carga de 60V 115A
Referencia cruzada
/
Corriente de colector (Ic) (máx.)
/
-Tensión de ruptura colector-emisor (Max)
/
Vce de saturación (Max) @ Ib Ic
/
Corriente de colector de corte (Max)
/
Ganancia de corriente DC (hFE) (mín.) @ Ic Vce
/
Poder-Max
/
-Frecuencia de transición
/
Tipo de Montaje
A través del agujero
Resistencia Base (R1)
/
Resistencia-emisor Base (R2)
/
FET tipo
/
FET característica
/
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
/
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
/
Rds (Max) @ Id Vgs
/
Vgs (th) (Max) @ Id
/
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
/
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
/
Frecuencia
/
Corriente nominal (en amperios)
/
Ruido
/
Potencia de salida
/
-Tensión nominal
/
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
/
Vgs (Max)
/
Tipo IGBT de
/
Configuración
/
Vce (on) (Max) @ Vge Ic
/
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce
/
De entrada
/
Termistor NTC
/
-Tensión de distribución (V (BR) GSS)
/
Corriente de drenaje (IDS) @ Vds (Vgs = 0)
/
Corriente de drenaje (Id).
/
-Tensión de corte (VGS) @ Id
/
Resistencia-On (RDS)
/
Tensión de salida-salida
/
-Tensión Offset (Vt)
/
Actual-puerta a ánodo fugas (Igao)
/
Corriente de Valle Iv)
/
Corriente de pico
/
Tipo de Transistor
/
Tipo de montaje
A través del agujero
Empaque y entrega
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