Fotodiodo InGaAs BoxOptronics de 3 mm, 5 mm, 850 nm, 940 nm, VCSEL 2, 5G, CWDM, Láser DFB, Paquete TO5 TO56
Sin reseñas
Atributos
OtrosTipo
otroPoder-Max
Grado estándar de producción industrial en masaVelocidad
OtrosTipo de paquete
otroTipo de montaje
CWDM Retroalimentación Distribuida (DFB) Coaxial Pigtail LaTipo de diodo
Configuración:otro
Uso:Datos de comunicación de fibra óptica de transmisión CWDM
Los medios disponibles:Informe de prueba de la hoja de datos, parámetros de acoplamiento de pigtail
Tipo de Proveedor:Nuevo original en stock
Descripción:Tecnología de fabricación de láseres DFB semiconductores basados en InP
Número de Modelo:BLD-D-2.5G-41-B-AL
Marca:BOX
Lugar del origen:Guangdong, China
PAQUETE/cubierta:otro
Tensión de paso máx.:1.6V (valoración máxima)
Voltaje inverso máx.:2V (valoración máxima)
Corriente directa máx.:150mA (valoración máxima)
Corriente inversa máx.:1 μA máximo con polarización inversa de 2 V
-Tensión de pico inversa (Max):2V (valoración máxima)
Actual promedio rectificado (Io):Corriente de operación directa promedio de 30-50mA
Configuración de diodo:Láser DFB de un solo chip con retroiluminación integrada
Voltaje DC-DC inversa (Vr) (máx.):2V (valoración máxima de corriente continua inversa)
Actual promedio rectificado (Io) (por diodo):Corriente directa promedio de 50 mA por diodo
Capacitancia Vr F:Capacitancia de unión de <10pF a 1MHz con polarización de 0V
Corriente máx.:Corriente directa máxima de 150 mA
Resistencia @ si F:<15Ω a 50mA de corriente directa 1MHz
Disipación de potencia (Max):300mW de disipación de potencia máxima
Capacitancia relación:Frecuencia de prueba de 1 MHz
Impedancia (Max) (Zzt):otro
Tipo de Producto:Fotodiodo PIN de InGaAs / VCSEL o Diodo Láser DFB
Rango de longitud de onda/Centro:900-1650nm (PD) / 850nm, 940nm o CWDM 1270-1610nm (Láser)
Área Activa / Área de Emisión:3 mm o 5 mm (DP) / 12 μm (VCSEL)
Rendimiento Clave (Típ.):Responsividad: 0.9 A/W @1310nm (PD) / Salida: 5-10 mW (Láser)
Ancho de banda / Modulación:Ancho de banda de modulación de 2 GHz (láser VCSEL/DFB)
Temperatura de funcionamiento:-40℃ hasta +85℃ (PD) / -40℃ hasta +70℃ Láser
Paquete:Paquete Hermético de Ventana Plana TO-CAN (TO5/TO56)
Aplicación Principal:Monitoreo de Potencia Óptica, Comunicación por Fibra, Detección
Monitor de fotodiodo:Monitor PD integrado de InGaAs (para láser DFB)
Características clave
Tipo
Otros
Poder-Max
otro
Velocidad
Grado estándar de producción industrial en masa
Tipo de paquete
Otros
Tipo de montaje
otro
Tipo de diodo
CWDM Retroalimentación Distribuida (DFB) Coaxial Pigtail La
Configuración
otro
Uso
Datos de comunicación de fibra óptica de transmisión CWDM
Los medios disponibles
Informe de prueba de la hoja de datos, parámetros de acoplamiento de pigtail
Tipo de Proveedor
Nuevo original en stock
Descripción
Tecnología de fabricación de láseres DFB semiconductores basados en InP
-Tensión de pico inversa (Max)
2V (valoración máxima)
Actual promedio rectificado (Io)
Corriente de operación directa promedio de 30-50mA
Actual promedio rectificado (Io) (por diodo)
Corriente directa promedio de 50 mA por diodo
Capacitancia Vr F
Capacitancia de unión de <10pF a 1MHz con polarización de 0V
Capacitancia relación
Frecuencia de prueba de 1 MHz
Configuración de diodo
Láser DFB de un solo chip con retroiluminación integrada
Corriente directa máx.
150mA (valoración máxima)
Corriente inversa máx.
1 μA máximo con polarización inversa de 2 V
Corriente máx.
Corriente directa máxima de 150 mA
Disipación de potencia (Max)
300mW de disipación de potencia máxima
Impedancia (Max) (Zzt)
otro
Lugar del origen
Guangdong, China
Marca
BOX
Número de Modelo
BLD-D-2.5G-41-B-AL
PAQUETE/cubierta
otro
Resistencia @ si F
<15Ω a 50mA de corriente directa 1MHz
Tensión de paso máx.
1.6V (valoración máxima)
Voltaje DC-DC inversa (Vr) (máx.)
2V (valoración máxima de corriente continua inversa)
Voltaje inverso máx.
2V (valoración máxima)
Tipo de Producto
Fotodiodo PIN de InGaAs / VCSEL o Diodo Láser DFB
Rango de longitud de onda/Centro
900-1650nm (PD) / 850nm, 940nm o CWDM 1270-1610nm (Láser)
Área Activa / Área de Emisión
3 mm o 5 mm (DP) / 12 μm (VCSEL)
Rendimiento Clave (Típ.)
Responsividad: 0.9 A/W @1310nm (PD) / Salida: 5-10 mW (Láser)
Ancho de banda / Modulación
Ancho de banda de modulación de 2 GHz (láser VCSEL/DFB)
Temperatura de funcionamiento
-40℃ hasta +85℃ (PD) / -40℃ hasta +70℃ Láser
Paquete
Paquete Hermético de Ventana Plana TO-CAN (TO5/TO56)
Aplicación Principal
Monitoreo de Potencia Óptica, Comunicación por Fibra, Detección
Monitor de fotodiodo
Monitor PD integrado de InGaAs (para láser DFB)
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