Shenzhen Box Optronics Technology Co., Limited

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Fotodiodo InGaAs BoxOptronics de 3 mm, 5 mm, 850 nm, 940 nm, VCSEL 2, 5G, CWDM, Láser DFB, Paquete TO5 TO56

Name: Fotodiodo InGaAs BoxOptronics de 3 mm, 5 mm, 850 nm, 940 nm, VCSEL 2, 5G, CWDM, Láser DFB, Paquete TO5 TO56
Brand: Shenzhen Box Optronics Technology Co., Limited
SKU: 1601719793697
Price: 27.5 USD
Availability: InStock

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EUR2393-3176

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BLD-D-2.5G-37-B-AL BLD-D-2.5G-37-B-AL BLD-D-2.5G-37-B-AL

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Logotipo personalizado (Pedido mínimo: 1,000 unidades)

Embalaje personalizado (Pedido mínimo: 1,000 unidades)

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Características principales

Tipo de montaje

otro

Número de pieza del fabricante

BLD-D-2.5G-41-B-AL

Marca

BOX

Descripción

Tecnología de fabricación de láseres DFB semiconductores basados en InP

Tipo

Otros

Lugar del origen

Guangdong, China

Envío

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Características clave

Tipo

Otros

Potencia máxima

otro

Velocidad

Grado estándar de producción industrial en masa

Tipo de paquete

Otros

Tipo de montaje

otro

Tipo de diodo

CWDM Retroalimentación Distribuida (DFB) Coaxial Pigtail La

Configuración

otro

Uso

Datos de comunicación de fibra óptica de transmisión CWDM

Los medios disponibles

Informe de prueba de la hoja de datos, parámetros de acoplamiento de pigtail

Tipo de Proveedor

Nuevo original en stock

Descripción

Tecnología de fabricación de láseres DFB semiconductores basados en InP

Número de pieza del fabricante

BLD-D-2.5G-41-B-AL

Marca

BOX

Lugar del origen

Guangdong, China

Paquete / Carcasa

otro

Tensión de paso máx.

1.6V (valoración máxima)

Voltaje inverso máx.

2V (valoración máxima)

Corriente directa máx.

150mA (valoración máxima)

Corriente inversa máx.

1 μA máximo con polarización inversa de 2 V

Tensión inversa de pico (máx.)

2V (valoración máxima)

Actual promedio rectificado (Io)

Corriente de operación directa promedio de 30-50mA

Configuración de diodo

Láser DFB de un solo chip con retroiluminación integrada

Voltaje DC-DC inversa (Vr) (máx.)

2V (valoración máxima de corriente continua inversa)

Actual promedio rectificado (Io) (por diodo)

Corriente directa promedio de 50 mA por diodo

Capacitancia Vr F

Capacitancia de unión de <10pF a 1MHz con polarización de 0V

Corriente - Máx.

Corriente directa máxima de 150 mA

Resistencia @ si F

<15Ω a 50mA de corriente directa 1MHz

Disipación de potencia (Max)

300mW de disipación de potencia máxima

Capacitancia relación

Frecuencia de prueba de 1 MHz

Impedancia (Max) (Zzt)

otro

Tipo de Producto

Fotodiodo PIN de InGaAs / VCSEL o Diodo Láser DFB

Rango de longitud de onda/Centro

900-1650nm (PD) / 850nm, 940nm o CWDM 1270-1610nm (Láser)

Área Activa / Área de Emisión

3 mm o 5 mm (DP) / 12 μm (VCSEL)

Rendimiento Clave (Típ.)

Responsividad: 0.9 A/W @1310nm (PD) / Salida: 5-10 mW (Láser)

Ancho de banda / Modulación

Ancho de banda de modulación de 2 GHz (láser VCSEL/DFB)

Temperatura de funcionamiento

-40℃ hasta +85℃ (PD) / -40℃ hasta +70℃ Láser

Paquete

Paquete Hermético de Ventana Plana TO-CAN (TO5/TO56)

Aplicación Principal

Monitoreo de Potencia Óptica, Comunicación por Fibra, Detección

Monitor de fotodiodo

Monitor PD integrado de InGaAs (para láser DFB)

Empaque y entrega

Unidades de venta

Artículo individual

Tiempo de entrega

Opciones de personalización

Logotipo personalizado(+ desde /Pedido mínimo: 1,000 unidades)

Embalaje personalizado(+ desde /Pedido mínimo: 1,000 unidades)

Personalización gráfica(+ desde /Pedido mínimo: 1,000 unidades)

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